Umożliwia zwiększenie obciążalności prądowej wyjść tranzystorowych oraz wprowadza izolację galwaniczną pomiędzy sygnałem wyzwalającym a obciążeniem.
Ta witryna używa plików cookie. Więcej informacji o używanych przez nas plikach cookie, ich zastosowaniu i sposobie modyfikacji akceptacji plików cookie, można znaleźć naciskając link