Umożliwia zwiększenie obciążalności prądowej wyjść tranzystorowych oraz wprowadza izolację galwaniczną pomiędzy sygnałem wyzwalającym a obciążeniem.
Widok wewnątrz obudowy:
Widok z zamkniętą klapką:
Widok od strony mocowania:
Schemat ideowy:
Karta katalogowa
100 KB
CE
250 KB
Instrukcja PL
77 kB
Ta witryna używa plików cookie. Więcej informacji o używanych przez nas plikach cookie, ich zastosowaniu i sposobie modyfikacji akceptacji plików cookie, można znaleźć naciskając link